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  • 產品信息

    4H 半絕緣型

    SiC單晶襯底

    4H Semi-Insulating

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    當前位置 >4H-半絕緣型襯底
    天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
    更好的滿足客戶的需求
    目前可批量供應4&6英寸產品
    8英寸產品正在研發中

    *更加詳細的產品信息歡迎咨詢營銷團隊

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    基本信息

    半絕緣型
    • 晶型 4H
    • 直徑(mm) 100 & 150
    • 偏角(°) 0
    • 厚度(μm) 500
    • 表面狀態 Epi-ready

    微波射頻器件

    通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成HEMT等微波射頻器件,應用于信息通訊、無線電探測等領域。

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